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Notícias da Empresa A SK Hynix usará um novo fotoresistente na produção de 1c DRAM

A SK Hynix usará um novo fotoresistente na produção de 1c DRAM

2024-12-30

À medida que a miniaturização da DRAM continua avançando, empresas como a SK Hynix e a Samsung Electronics estão se concentrando no desenvolvimento e aplicação de novos materiais.
De acordo com a TheElec, a SK Hynix pretende utilizar o fotoresistente de óxido metálico (MOR) da próxima geração da Inpria na produção da DRAM de 6a geração (processo 1c, cerca de 10 nm),que foi a primeira vez que o MOR foi aplicado ao processo de produção em massa da DRAM.

A DRAM 1c produzida em massa pela SK Hynix tem cinco camadas de ultravioleta extrema (EUV), uma das quais será desenhada usando MOR, disseram as fontes."Não só a SK Hynix, mas também a Samsung Electronics irá buscar materiais de PR inorgânicos, " acrescentou.

A Inpria é uma subsidiária da empresa química japonesa JSR e líder no campo da fotoresistência inorgânica.O MOR é considerado a próxima geração de fotoresistente quimicamente amplificado (CAR) atualmente usado em litografia de chip avançada.

Além disso, a empresa tem trabalhado com a SK Hynix na pesquisa MOR desde 2022.A SK Hynix disse anteriormente que o uso de fotoresistente de óxido de Sn (base) ajudará a melhorar o desempenho da próxima geração de DRAM e reduzir os custos.

O relatório TheElec também observou que a Samsung Electronics também está a considerar aplicar o MOR à DRAM 1c e que, atualmente, a Samsung Electronics aplica seis a sete camadas EUV na DRAM 1c,enquanto o Micron aplica apenas uma camada.

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